Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.snu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/1666
Название: Исследование адсорбции германия на поверхность арсенида галлия фотоэмиссионным методом
Другие названия: Дослідження адсорбції германію на поверхню арсеніду галію фотоемісійним методом
Investigation of adsorption of germanium on the surface of gallium arsenide by the photoemission method
Авторы: Черников, Н.Г.
Черникова, И.Д.
Черніков, Н.Г.
Чернікова, І.Д.
Chernikov, N.G.
Chernikova, I.D.
Ключевые слова: полупроводник
поверхность твёрдого тела
фотон
энергия фотонов
адсорбция
подложка
квантовый выход
распределение фотоэлектронов по энергиям
вакуум
напівпровідник
поверхня твердого тіла
фотон
енергія фотонів
адсорбція
підкладка
квантовий вихід
розподіл фотоелектронів по енергіях
вакуум
semiconductor
solid surface
photon
photon energy
adsorption
substrate
quantum yield
photoelectron distribution by energies
vacuum
Дата публикации: 2017
Издательство: Вид-во СНУ ім. В.Даля
Библиографическое описание: Черников Н. Г. Исследование адсорбции германия на поверхность арсенида галлия фотоэмиссионным методом / Н. Г. Черников, И. Д. Черникова // Вісник Східноукраїнського національного університету імені Володимира Даля. – 2017. – № 7 (237). – С. 133 - 138.
Краткий осмотр (реферат): В статье рассмотрено влияние адсорбированных слоёв германия на поверхности монокристаллов арсенида галлия различного типа проводимости фотоэмиссионным методом в сверхвысоком вакууме. Изучены вопросы влияния адсорбированных слоев на электронную структуру подложки, а так же каким образом влияют атомы германия на изменение работы выхода фотоєлектронов из монокристаллов арсенида галлия.
У статті розглянуто вплив адсорбованих шарівгерманію на поверхні монокристалів арсеніду галію різного типу провідності фотоемісійним методом в надвисокому вакуумі. Вивчено питання впливу адсорбованих шарів на електронну структуру підкладки, а так само яким чином впливають атоми германію на зміну роботи виходу фотоєлектронів з монокристалів арсеніду галію: за рахунок електронної спорідненісті чи загину зон.
In the article the influence of adsorbed layers of germanium on the surface of single crystals of gallium arsenide of different types of conductivity by the photoemission method in a superhigh vacuum is considered. The influence of adsorbed layers on the electronic structure of the substrate has been studied, as well as how the germanium atoms influence the change of the work of the output of photoelectrons from gallium arsenide single crystals: due to electron kinship or bending of the zones. Particular attention was paid to the effect of adsorbed germanium layers on the interband electronic transitions in gallium arsenide single crystals. An additional interband transition, which does not correspond to GaAs, is found.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.snu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/1666
Располагается в коллекциях:Статті
№ 7 (237)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
133-138.pdf571,66 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.