Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.snu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/169
Название: Програмування пам'яті FLASH–EEPROM мікроконтролерів AVR
Авторы: Свербіненко, В.С.
Кардашук, В.С., наук. кер.
Дата публикации: 2015
Издательство: СНУ ім. В. Даля
Библиографическое описание: Свербіненко В.С. Програмування пам'яті FLASH–EEPROM мікроконтролерів AVR / В.С. Свербіненко, В.С. Кардашук // Майбутній науковець – 2015 : матер. всеукр. наук.-практ. конф., м. Сєвєродонецьк, 4 груд. 2015 р. / уклад. В. Ю. Тарасов. – Сєвєродонецьк : СНУ ім. В. Даля, 2015. – С. 72-74.
Краткий осмотр (реферат): Відмінною особливістю мікроконтролерів сімейства AVR є те, що в них як пам'ять програм використовується одна і та ж пам'ять FLASH–EEPROM, яка може бути різного об'єму, вільно програмуватись користувачем і знову витиратися електричним способом. Для програмування пам'яті EEPROM мають бути виконані наступні дії: 1. Діждатися закінчення процесу програмування пам'яті EEPROM ( якщо він активний), тобто доки розряд EEWE не повернувся в стан лог. 0. 2. Записати нову адресу в регістр EEAR пам'яті EEPROM (1 байт або 2 байти в разі використання мікроконтролера АТ90С8515). 3. Записати необхідний байт даних в регістр EEDR пам’яті EEPROM. 4. Встановити розряд EEMWE в лог. 1. 5. Впродовж наступних чотирьох періодів такту системи після установки розряду EEMWE в розряд EEWE має бути записана лог. 1, тим самим буде запущений процес програмування.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.snu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/169
Располагается в коллекциях:Виступи, доповіді, тези
«Майбутній науковець – 2015»

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Майбутній науковець 2015 С.72-74.pdf2,16 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.